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- 产品简介: 芯东西2月21日报道,中国证监局官网显示,国内半导体前道工艺筑筑研发商青岛思锐智能科技
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一、产品简介:
芯东西2月21日报道,中国证监局官网显示,国内半导体前道工艺筑筑研发商青岛思锐智能科技股份有限公司(简称“思锐智能”)已正在青岛证监局照料领导存案挂号,正式启动A股上市历程,领导机构为国泰君安。
思锐智能创设于2018年1月,注册血本为11.21亿元,法定代表人是聂翔,公司无控股股东、无实质支配人,第一大股东为中车青岛四方车辆咨询全面限公司,持股比例为19.48%。

凭据官网先容,思锐智能总部位于中国青岛,并正在北京、上海设有研发中央,重要聚焦枢纽半导体前道工艺筑筑。其产物包罗原子层重积(ALD)筑筑及离子注入(IMP)筑筑,渊博使用于集成电途、第三代半导体、新能源、光学、零部件镀膜等诸多高精尖范畴。
薄膜重积是晶圆成立的三大中枢步调之一,薄膜的本领参数直接影响芯片本能。半导体器件的接续缩幼对薄膜重积工艺提出了更高恳求,而ALD本领依赖重积薄膜厚度的高度可控性、优异的平均性和三维保形性,正在半导体范畴更加是前辈造程中拥有渊博的使用潜力。
思锐智能供应了原位等离子体惩罚、原位孕育高质料的PEALD膜层、热法ALD的一套三步处置计划,可改革GaN器件的动态本能,消重器件的回滞,已通过国表里GaN范畴着名企业的量产验证。
离子注入是集成电途成立工艺中非常要紧的枢纽。IMP离子注入本领为半导体使用供应无误支配的掺杂、电平修复、聚焦注入、定造化加工和温度支配的处置计划。
2023年9月,思锐智能胜利推出的国内首台能量抵达8MeV的高能离子注入机交付到国内头部企业,弥补了国内空缺。
思锐智能已修建了系列化、平台化的离子注入机产物线,以高能离子注入机和大束落难子注入机为根基,并接续扩展笼盖包罗碳化硅(SiC)正在内的功率半导体范畴,满意多样化的使用需求。
2018年,思锐智能杀青对ALD本领起源地——芬兰倍耐克公司100%股权的收购办事。思锐智能整合倍耐克海表前沿本领研发资源,展开ALD本领国表里共同研发与国内工业化落地办事,筑设了完备的ALD产物体例,笼盖环球浩瀚头部客户,并正在浩瀚细分范畴获得当先的商场竞赛名望。
目前思锐智能及其子公司具有300余项联系专利,正在ALD本领及使用方面本领积聚丰裕。该公司正在促进ALD生意转型升级后,结构离子注入筑筑生意并获得冲破,以高能离子注入机为切入点展开研发,处置国内高端离子注入机“卡脖子”题目,逐渐杀青硅基及化合物半导体范畴全系列机型的结构。
思锐智能获评了国度级专精特新“幼伟人”称谓,并担负多项省市级中心研发盘算和国际团结项目。依托半导体前辈设备研发成立中央,该公司已成为具有环球客户拓展才力的中高端半导体设备坐褥成立商,生意界限笼盖环球40个国度及区域,累计逾越500个环球客户。